高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10纳米工艺相比14纳米将使得芯片速度快百分之二十七,效率提升百分之四十,高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升百分之二十七或高达百分之四十的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以**更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会提升电池续航。
我一直生活在自己的幻影中,所以我只能自己爱惜自己。
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